| Studiju veids |
maģistra profesionālās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Elektrotehnoloģiju datorvadība |
| Nosaukums |
"Augstas veiktspējas jaudas pārveidotāji" |
| Nosaukums angļu valodā |
"High Performance Power Conversion" |
| Struktūrvienība |
27100 Industriālās elektronikas un elektrotehnikas institūts |
| Darba vadītājs |
Dr.sc.ing.Tore Undeland |
| Recenzents |
|
| Anotācija |
Darbā tiek pētītas silīcija karbīda pusvadītāju ierīces, kā arī to pielietojums energoelektronikas pārveidotājos. SiC lauktranzistors ar p-n pārēju ir viens no šodienas veiksmīgākajiem komerciāli pieejamiem pusvadītāju ierīcēm. Tomēr piemērotā draivera izstrāde, lai varētu pilnīgi izmantot šo pusvadītāja ierīces lieliskas īpašības ir joprojām aktuāls jautājums. Darbs sastāv no piecām daļām. Pirmajā daļā ir aprakstīta silīcija karbīda kristāla kā pusvadītāja materiāla struktūra un uzbūve. Tiek pētītas un salīdzinātas silīcija karbīda elektriskās un fizikālās īpašības ar silīcija un citu pusvadītāju materiālu īpašībām. Darba otrajā daļā plašāk ir apskatītas silīcija karbīda pusvadītāju ierīces, tādas kā Šotkija diodes, lauktranzistori ar p-n pāreju (JFET), metāla-oksīda pusvadītāja lauktranzistori (MOSFET), bipolārie tranzistori, kā arī tiristori. Sīkāk tiek pētītas to īpašības un raksturlīknes. Darba trešajā daļā ir aplūkots šo silīcija karbīda elektronu ierīču pielietojums dažādos energoelektronikas pārveidotājos. Tiek analizētas ierīču pārslēgšanās raksturlīknes, lietderības koeficienta un jaudas blīvuma pieaugums, kā arī zudumu samazinājums energoelektronikas iekārtās. Darba ceturtā daļa pārsvarā sastāv no SiC JFET draivera ķēdes izveides un mērījumiem. Tika izveidota praktiskā draivera shēma SJEP120R063 SiC JFET no ražotāja SemiSouth ierīces vadībai. Šajā nodaļā tika arī pētīta draivera ietekme uz pārslēgšanas raksturlīknēm. Pēdējā projekta daļa sastāv no inženiera aprēķiniem, kā arī shēmas rasējumiem. Šajā daļā ir izpētīts jaudas zudumu samazinājums komutācijas veida barošanas bloka jaudas koeficienta regulēšanas paaugstinošā pārveidotāja shēmā.
Inženierprojekts sastāv no 85 lapaspusēm. Darbā tika izmantoti 78 attēli, 8 tabulas, 50 formulas, 30 informācijas avoti un 4 pielikumi. |
| Atslēgas vārdi |
Silīcija karbīds,Augstā veiktspēja,Schottky,JFET,PFC,Fotoelementi,Jaudas blīvums,Efektivitāte |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
SiC, High performance, Schottky, JFET, PFC, Photovoltaics, Power denisty, Efficiency |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2010 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
18.04.2011 16:33:56 |
