| Form of studies |
Professional Master |
| Title of the study programm |
Computerised Control of Electrical Technologies |
| Title in original language |
"Augstas veiktspējas jaudas pārveidotāji" |
| Title in English |
"High Performance Power Conversion" |
| Department |
Faculty Of Computer Science Information Tehnology And Energy |
| Scientific advisor |
Dr.sc.ing.Tore Undeland |
| Reviewer |
|
| Abstract |
Darbā tiek pētītas silīcija karbīda pusvadītāju ierīces, kā arī to pielietojums energoelektronikas pārveidotājos. SiC lauktranzistors ar p-n pārēju ir viens no šodienas veiksmīgākajiem komerciāli pieejamiem pusvadītāju ierīcēm. Tomēr piemērotā draivera izstrāde, lai varētu pilnīgi izmantot šo pusvadītāja ierīces lieliskas īpašības ir joprojām aktuāls jautājums. Darbs sastāv no piecām daļām. Pirmajā daļā ir aprakstīta silīcija karbīda kristāla kā pusvadītāja materiāla struktūra un uzbūve. Tiek pētītas un salīdzinātas silīcija karbīda elektriskās un fizikālās īpašības ar silīcija un citu pusvadītāju materiālu īpašībām. Darba otrajā daļā plašāk ir apskatītas silīcija karbīda pusvadītāju ierīces, tādas kā Šotkija diodes, lauktranzistori ar p-n pāreju (JFET), metāla-oksīda pusvadītāja lauktranzistori (MOSFET), bipolārie tranzistori, kā arī tiristori. Sīkāk tiek pētītas to īpašības un raksturlīknes. Darba trešajā daļā ir aplūkots šo silīcija karbīda elektronu ierīču pielietojums dažādos energoelektronikas pārveidotājos. Tiek analizētas ierīču pārslēgšanās raksturlīknes, lietderības koeficienta un jaudas blīvuma pieaugums, kā arī zudumu samazinājums energoelektronikas iekārtās. Darba ceturtā daļa pārsvarā sastāv no SiC JFET draivera ķēdes izveides un mērījumiem. Tika izveidota praktiskā draivera shēma SJEP120R063 SiC JFET no ražotāja SemiSouth ierīces vadībai. Šajā nodaļā tika arī pētīta draivera ietekme uz pārslēgšanas raksturlīknēm. Pēdējā projekta daļa sastāv no inženiera aprēķiniem, kā arī shēmas rasējumiem. Šajā daļā ir izpētīts jaudas zudumu samazinājums komutācijas veida barošanas bloka jaudas koeficienta regulēšanas paaugstinošā pārveidotāja shēmā.
Inženierprojekts sastāv no 85 lapaspusēm. Darbā tika izmantoti 78 attēli, 8 tabulas, 50 formulas, 30 informācijas avoti un 4 pielikumi. |
| Keywords |
Silīcija karbīds,Augstā veiktspēja,Schottky,JFET,PFC,Fotoelementi,Jaudas blīvums,Efektivitāte |
| Keywords in English |
SiC, High performance, Schottky, JFET, PFC, Photovoltaics, Power denisty, Efficiency |
| Language |
lv |
| Year |
2010 |
| Date and time of uploading |
18.04.2011 16:33:56 |
