| Studiju veids |
maģistra profesionālās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Medicīnas inženierija un fizika |
| Nosaukums |
Ar augstas enerģijas elektroniem apstarota silīcija eksoemisijas procesu aktivācijas enerģijas atkarībā no starojuma dozas. |
| Nosaukums angļu valodā |
Activation energies of the exoemission processes of silicon irradiated with high-energy electrons depending on radiation dose. |
| Struktūrvienība |
31000 Būvniecības un mašīnzinību fakultāte |
| Darba vadītājs |
Jurijs Dehtjars |
| Recenzents |
Ainārs Āboltiņš |
| Anotācija |
Maģistra darba mērķis ir izpētīt kā un kāpēc ar augstas enerģijas (6 MeV) elektroniem apstarota silīcija eksoemisijas procesu aktivācijas enerģijas ir atkarīgas no starojuma dozas no 0 līdz 60 Gy. Reģistrēta pozitīva korelācija starp Si FTSE aktivācijas enerģijām un plānoto 6 MeV elektronu apstarošanas dozu no 12 līdz 60 Gy. Fototermostimulētās eksoelektronu emisijas mērīšanai tika izmantots elektronu spektrometrs, savukārt to apstarošanai klīniskais lineārais elektronu paātrinātājs. Papildus tika veikta FTSE lādiņa, fotoemisijas rezultātu analīze, kā arī ToF-SIMS un FTIR-ATR analīze ķīmisko izmaiņu detektēšanai pirms un pēc paraugu sagatavošanas un apstarošanas. |
| Atslēgas vārdi |
Eksoelektronu Emisija, Punktveida Defekti, Atkvēlināšanās Aktivācijas Enerģija, Migrācijas Aktivācijas Enerģija, Augstas Enerģijas Elektroni, Nanodozimetrija |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
Exoelectron Emission, Point Defects, Annealing Activation Energy, Migration Activation Energy, High-Energy Electrons, Nanodosimetry |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2026 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
29.05.2026 10:29:49 |
