| Form of studies |
Professional Master |
| Title of the study programm |
Medical Engineering and Medical Physics |
| Title in original language |
Ar augstas enerģijas elektroniem apstarota silīcija eksoemisijas procesu aktivācijas enerģijas atkarībā no starojuma dozas. |
| Title in English |
Activation energies of the exoemission processes of silicon irradiated with high-energy electrons depending on radiation dose. |
| Department |
Faculty Of Civil And Mehanical Engineering |
| Scientific advisor |
Jurijs Dehtjars |
| Reviewer |
Ainārs Āboltiņš |
| Abstract |
Maģistra darba mērķis ir izpētīt kā un kāpēc ar augstas enerģijas (6 MeV) elektroniem apstarota silīcija eksoemisijas procesu aktivācijas enerģijas ir atkarīgas no starojuma dozas no 0 līdz 60 Gy. Reģistrēta pozitīva korelācija starp Si FTSE aktivācijas enerģijām un plānoto 6 MeV elektronu apstarošanas dozu no 12 līdz 60 Gy. Fototermostimulētās eksoelektronu emisijas mērīšanai tika izmantots elektronu spektrometrs, savukārt to apstarošanai klīniskais lineārais elektronu paātrinātājs. Papildus tika veikta FTSE lādiņa, fotoemisijas rezultātu analīze, kā arī ToF-SIMS un FTIR-ATR analīze ķīmisko izmaiņu detektēšanai pirms un pēc paraugu sagatavošanas un apstarošanas. |
| Keywords |
Eksoelektronu Emisija, Punktveida Defekti, Atkvēlināšanās Aktivācijas Enerģija, Migrācijas Aktivācijas Enerģija, Augstas Enerģijas Elektroni, Nanodozimetrija |
| Keywords in English |
Exoelectron Emission, Point Defects, Annealing Activation Energy, Migration Activation Energy, High-Energy Electrons, Nanodosimetry |
| Language |
lv |
| Year |
2026 |
| Date and time of uploading |
29.05.2026 10:29:49 |
