Noslēguma darbu reģistrs
  
Studiju darba apraksts
Studiju veids bakalaura profesionālās studijas
Studiju programmas nosaukums Medicīnas inženierija un fizika
Nosaukums Benzola un heksāna tvaiku ietekme uz silīcija piesliekšņa elektronu emisiju
Nosaukums angļu valodā Influence of the Benzole and Hexane Vapor Deposited on Silicon Pre-threshold Electron Emission
Struktūrvienība 31000 Būvniecības un mašīnzinību fakultāte
Darba vadītājs J. Dehtjars
Recenzents
Anotācija Bakalaura darba mērķis ir izpētīt benzola un heksāna tvaiku ietekmi uz silīcija piesliekšņa emisiju, izmantojot fotoelektronu un termostimulēto eksoelektronu emisijas, lai noteikt iespējamību pielietot silīcija sensorus tvaikugāzu analīzei. Noskaidrot var mainot ekspozīcijas laiku adhēzijas process uzlabojās, kā arī noteikt kura no emisijas metodēm ir jūtīgāka. Bakalaura darbs sastāv no ievada, literatūras pārskata, darba gaitā pielietotās eksperimentu metodikas, rezultātiem un secinājumiem. Iegūtie eksperimentu rezultāti tiek salīdzināti savā starpā, nosakot kā tvaiki ietekmē silīcija virsmas īpašības un kā tas atspoguļojās uz emisijas spektriem. Darba secinājumos tiek piedāvāti priekšlikumi par eksperimentu uzlabošanu ar mērķi izpētīt sīkāk iespēju izmantot silīcija materiālu kā sensoru. Bakalaura darbs ir uzrakstīts latviešu valodā, kas satur 10 tabulas, 85 attēlus. Darba apjoms sastāda 64 lappuses, 17 izmantotās literatūras avotus.
Atslēgas vārdi Eksoemisija
Atslēgas vārdi angļu valodā Exoemission
Valoda lv
Gads 2010
Darba augšupielādes datums un laiks 19.04.2011 11:33:49