| Studiju veids |
bakalaura profesionālās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Medicīnas inženierija un fizika |
| Nosaukums |
Benzola un heksāna tvaiku ietekme uz silīcija piesliekšņa elektronu emisiju |
| Nosaukums angļu valodā |
Influence of the Benzole and Hexane Vapor Deposited on Silicon Pre-threshold Electron Emission |
| Struktūrvienība |
25200 Biomedicīnas inženierzinātņu un nanotehnoloģiju institūts |
| Darba vadītājs |
J. Dehtjars |
| Recenzents |
|
| Anotācija |
Bakalaura darba mērķis ir izpētīt benzola un heksāna tvaiku ietekmi uz silīcija
piesliekšņa emisiju, izmantojot fotoelektronu un termostimulēto eksoelektronu emisijas, lai
noteikt iespējamību pielietot silīcija sensorus tvaikugāzu analīzei. Noskaidrot var mainot
ekspozīcijas laiku adhēzijas process uzlabojās, kā arī noteikt kura no emisijas metodēm ir
jūtīgāka.
Bakalaura darbs sastāv no ievada, literatūras pārskata, darba gaitā pielietotās
eksperimentu metodikas, rezultātiem un secinājumiem.
Iegūtie eksperimentu rezultāti tiek salīdzināti savā starpā, nosakot kā tvaiki ietekmē
silīcija virsmas īpašības un kā tas atspoguļojās uz emisijas spektriem. Darba secinājumos tiek
piedāvāti priekšlikumi par eksperimentu uzlabošanu ar mērķi izpētīt sīkāk iespēju izmantot
silīcija materiālu kā sensoru.
Bakalaura darbs ir uzrakstīts latviešu valodā, kas satur 10 tabulas, 85 attēlus.
Darba apjoms sastāda 64 lappuses, 17 izmantotās literatūras avotus. |
| Atslēgas vārdi |
Eksoemisija |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
Exoemission |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2010 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
19.04.2011 11:33:49 |
