| Studiju veids |
bakalaura profesionālās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Elektrotehnoloģiju datorvadība |
| Nosaukums |
"3-fāžu 3-līmeņu regulējamas frekvences invertora izstrāde, izmantojot gallija nitrīda (GaN) pusvadītājus" |
| Nosaukums angļu valodā |
"Development of a 3-phase 3-level variable frequency inverter with GaN semiconductor devices" |
| Struktūrvienība |
27100 Industriālās elektronikas un elektrotehnikas institūts |
| Darba vadītājs |
Artūrs Bogdanovs |
| Recenzents |
Aleksandrs Bubovičs |
| Anotācija |
Bakalaura darbs ar projekta daļu tiek veltīts 3-fāžu 3-līmeņu pēc diožu atdalīšanas topoloģijas regulējamas frekvences invertora izstrādei, izmantojot uz GaN balstītus tranzistorus, ar 12kW nominālu jaudu un 400V izejas līnijas sprieguma un 20A fāzes strāvas. Darba mērķis ir gallija nitrīda (GaN) lauktranzistoru draivera shēmas izveide pielietošanai 3-fažu 3-līmeņa invertorā. Darba teorētiskā daļā ir apskatīti invertoru darbības pamatprincipi un dažādas invertoru topoloģijas. Apskatīti gan divu, gan daudzlīmeņu invertori. Detalizēti tiek aplūkota invertora pielietojums mainīgas frekvences piedziņā. Turklāt ir aplūkotas uz gallija nitrīda balstītu tranzistoru priekšrocības un sniegts salīdzinājums ar parasto silīcija pusvadītāju materiālu un silīcija karbīda balstītu pusvadītāju materiālu. Darba praktiskajā daļā tika aprēķināti GaN lauktranzistoru draiveru plates parametri. Turklāt tika izstrādāta draivera principiālā elektriskā shēma un tas iespiedplate “Altium Designer” programmatūrā. Iegūti eksperimentāli dati par GaN tranzistoru efektivitāti plašā komutācijas frekvenču diapazonā, un izdarīti secinājumi par GaN lauktranzistoru izmantošanu regulējamas frekvences piedziņā. |
| Atslēgas vārdi |
Invertors, 3-fāžu, 3-līmeņu, GaN pusvadītāji |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
Inverter, 3-phase, 3-level, GaN semiconductors |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2023 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
19.01.2023 02:15:14 |
