| Form of studies |
Professional Bachelor |
| Title of the study programm |
Computerised Control of Electrical Technologies |
| Title in original language |
"3-fāžu 3-līmeņu regulējamas frekvences invertora izstrāde, izmantojot gallija nitrīda (GaN) pusvadītājus" |
| Title in English |
"Development of a 3-phase 3-level variable frequency inverter with GaN semiconductor devices" |
| Department |
Faculty Of Computer Science Information Tehnology And Energy |
| Scientific advisor |
Artūrs Bogdanovs |
| Reviewer |
Aleksandrs Bubovičs |
| Abstract |
Bakalaura darbs ar projekta daļu tiek veltīts 3-fāžu 3-līmeņu pēc diožu atdalīšanas topoloģijas regulējamas frekvences invertora izstrādei, izmantojot uz GaN balstītus tranzistorus, ar 12kW nominālu jaudu un 400V izejas līnijas sprieguma un 20A fāzes strāvas. Darba mērķis ir gallija nitrīda (GaN) lauktranzistoru draivera shēmas izveide pielietošanai 3-fažu 3-līmeņa invertorā. Darba teorētiskā daļā ir apskatīti invertoru darbības pamatprincipi un dažādas invertoru topoloģijas. Apskatīti gan divu, gan daudzlīmeņu invertori. Detalizēti tiek aplūkota invertora pielietojums mainīgas frekvences piedziņā. Turklāt ir aplūkotas uz gallija nitrīda balstītu tranzistoru priekšrocības un sniegts salīdzinājums ar parasto silīcija pusvadītāju materiālu un silīcija karbīda balstītu pusvadītāju materiālu. Darba praktiskajā daļā tika aprēķināti GaN lauktranzistoru draiveru plates parametri. Turklāt tika izstrādāta draivera principiālā elektriskā shēma un tas iespiedplate “Altium Designer” programmatūrā. Iegūti eksperimentāli dati par GaN tranzistoru efektivitāti plašā komutācijas frekvenču diapazonā, un izdarīti secinājumi par GaN lauktranzistoru izmantošanu regulējamas frekvences piedziņā. |
| Keywords |
Invertors, 3-fāžu, 3-līmeņu, GaN pusvadītāji |
| Keywords in English |
Inverter, 3-phase, 3-level, GaN semiconductors |
| Language |
lv |
| Year |
2023 |
| Date and time of uploading |
19.01.2023 02:15:14 |
