| Studiju veids |
bakalaura akadēmiskās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Telekomunikācijas |
| Nosaukums |
PIN fotodiožu parametru novērtējums |
| Nosaukums angļu valodā |
Assessment of PIN Photodiodes Parameters |
| Struktūrvienība |
13100 Telekomunikāciju institūts |
| Darba vadītājs |
J.Poriņš |
| Recenzents |
V.Bobrovs |
| Anotācija |
Mūsdienu sakaru sistēmās informācijas pārraidei lielākoties tiek izmantoti optiskie sakari un ir noderīgi izpētīt tajos notiekošos procesus. Viena no pamatierīcēm informatīva signāla detektēšanai ir fotodiode, veicot sakaru sistēmu izstrādi un ekspluatāciju, būtiski ir izprast to darbības principus un novērtēt tehniskos parametrus.
Bakalaura darbs tiek veltīts PIN fotodiodes parametru analīzei un novērtēšanai. Laboratorijas pētījumiem tika izvēlēta ФД - 24К silicija PIN fotodiode ar lielo fotojūtīgo laukumu. Tika veikta fotodiodes jutības pārbaude pie viļņu garumiem 850nm un 1300nm ar mērķi pārliecināties par dažādu pusvadītājā meteriālu spēju absorbēt noteiktu viļna garumu. Lai noteiktu fotodiodes laika konstanti, NEP, minimālo optisko jaudu, maksimālo modulācijas frekvenci pie noteiktas pretestības, tika veikti aprēķini MatLab vidē. |
| Atslēgas vārdi |
PIN fotodiode |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
PIN photodiode |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2015 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
16.01.2015 15:40:31 |
