| Form of studies |
Bachelor |
| Title of the study programm |
Telecommunications |
| Title in original language |
PIN fotodiožu parametru novērtējums |
| Title in English |
Assessment of PIN Photodiodes Parameters |
| Department |
13100 Institute of Telecommunications |
| Scientific advisor |
J.Poriņš |
| Reviewer |
V.Bobrovs |
| Abstract |
Mūsdienu sakaru sistēmās informācijas pārraidei lielākoties tiek izmantoti optiskie sakari un ir noderīgi izpētīt tajos notiekošos procesus. Viena no pamatierīcēm informatīva signāla detektēšanai ir fotodiode, veicot sakaru sistēmu izstrādi un ekspluatāciju, būtiski ir izprast to darbības principus un novērtēt tehniskos parametrus.
Bakalaura darbs tiek veltīts PIN fotodiodes parametru analīzei un novērtēšanai. Laboratorijas pētījumiem tika izvēlēta ФД - 24К silicija PIN fotodiode ar lielo fotojūtīgo laukumu. Tika veikta fotodiodes jutības pārbaude pie viļņu garumiem 850nm un 1300nm ar mērķi pārliecināties par dažādu pusvadītājā meteriālu spēju absorbēt noteiktu viļna garumu. Lai noteiktu fotodiodes laika konstanti, NEP, minimālo optisko jaudu, maksimālo modulācijas frekvenci pie noteiktas pretestības, tika veikti aprēķini MatLab vidē. |
| Keywords |
PIN fotodiode |
| Keywords in English |
PIN photodiode |
| Language |
lv |
| Year |
2015 |
| Date and time of uploading |
16.01.2015 15:40:31 |
