| Studiju veids |
maģistra akadēmiskās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Materiālu nanotehnoloģijas |
| Nosaukums |
Ar lāzera starojuma iegūtu Si un Ge p-n pāreju un nanostruktūru optiskās un elektriskās īpašības |
| Nosaukums angļu valodā |
Optical and electrical properties of Si and Ge p-n junctions and nanostructures obtained by laser radiation |
| Struktūrvienība |
14000 Materiālzinātnes un lietišķās ķīmijas fakultāte |
| Darba vadītājs |
Dr.habil.phys. A.Medvids |
| Recenzents |
Dr.sc.ing. I.Juhņeviča |
| Anotācija |
Maģistra darbā apskatīta zinātniskā literatūra par silīcija un germānija nanostruktūrām, to iegūšanas metodēm un pielietošanu. Darbā apkopota informācija par pusvadītāju p-n pārejām un to iegūšanas metodēm.
Darba eksperimentālajā daļā ar YAG:Nd lāzeru starojumu tika iegūti Si un Ge nanokonusi un p-n pārejas. Darbā tika izstrādāts divpakāpju nanostruktūru veidošanās modelis. Optisko īpašību noteikšanai tika izmantota fotoluminiscences spektroskopija. P-n pāreju raksturošanai tika izmantota voltampēru raksturlīknes mērīšanas metode un Kelvina Zondes metode. Paraugu virsmas mērījumiem tika izmantots atomspēku mikroskops. |
| Atslēgas vārdi |
silīcijs, germānijs, nanokonusi, kvantu ierobežojuma efekts, p-n pāreja, YAG:Nd lāzers |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
silicon, germanium, nanocones, quantum confinement effect, p-n junction, YAG:Nd laser |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2012 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
15.06.2012 17:18:41 |
