Noslēguma darbu reģistrs
  
Studiju darba apraksts
Studiju veids maģistra akadēmiskās studijas
Studiju programmas nosaukums Materiālu nanotehnoloģijas
Nosaukums Ar lāzera starojuma iegūtu Si un Ge p-n pāreju un nanostruktūru optiskās un elektriskās īpašības
Nosaukums angļu valodā Optical and electrical properties of Si and Ge p-n junctions and nanostructures obtained by laser radiation
Struktūrvienība 14000 Materiālzinātnes un lietišķās ķīmijas fakultāte
Darba vadītājs Dr.habil.phys. A.Medvids
Recenzents Dr.sc.ing. I.Juhņeviča
Anotācija Maģistra darbā apskatīta zinātniskā literatūra par silīcija un germānija nanostruktūrām, to iegūšanas metodēm un pielietošanu. Darbā apkopota informācija par pusvadītāju p-n pārejām un to iegūšanas metodēm. Darba eksperimentālajā daļā ar YAG:Nd lāzeru starojumu tika iegūti Si un Ge nanokonusi un p-n pārejas. Darbā tika izstrādāts divpakāpju nanostruktūru veidošanās modelis. Optisko īpašību noteikšanai tika izmantota fotoluminiscences spektroskopija. P-n pāreju raksturošanai tika izmantota voltampēru raksturlīknes mērīšanas metode un Kelvina Zondes metode. Paraugu virsmas mērījumiem tika izmantots atomspēku mikroskops.
Atslēgas vārdi silīcijs, germānijs, nanokonusi, kvantu ierobežojuma efekts, p-n pāreja, YAG:Nd lāzers
Atslēgas vārdi angļu valodā silicon, germanium, nanocones, quantum confinement effect, p-n junction, YAG:Nd laser
Valoda lv
Gads 2012
Darba augšupielādes datums un laiks 15.06.2012 17:18:41