| Studiju veids |
maģistra profesionālās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Nanoinženierija |
| Nosaukums |
Elektronu emisija no pusvadītāja ar infrasarkano papildstarojumu |
| Nosaukums angļu valodā |
Electron Emission from Semiconductor with Additional Infrared Radiation |
| Struktūrvienība |
25200 Biomedicīnas inženierzinātņu un nanotehnoloģiju institūts |
| Darba vadītājs |
Profesors Jurijs Dehtjars |
| Recenzents |
Lada Bumbure |
| Anotācija |
Dotā darba mērķis ir nanokārtiņu aizliegtās zonas platuma bezkontakta noteikšanas metodikas izstrāde, izmantojot duālas fotoelektronu emisijas parādību.
Darbā tika izskatīta cietvielu zonas struktūras kvantu teorija. Tika aprakstīti materiāla aizliegtās zonas noteikšanas optiskā un termodinamiskā metode, dots duālas fotoelektronu emisijas parādības izskaidrojums.
Darbā iekļauta eksperimenta veikšanas principiāla shēma un dots eksperimentālas iekārtas detalizētais apraksts.
Darbā tika pētīta duāla fotoelektronu emisija no pusvadītājiem. Eksperimentos tika izmantoti ar fosforu leģētais n tipa silīcijs ar īpatnējo elektrisko = 0,0014 0,0015 Om*cm un = 5,0 Om*cm, kā arī ar boru leģētais p-tipa silīcijs ar īpatnējo pretestību = 0,0005 0,0008 Om*cm un = 1,0 Om*cm. Tika aprakstīta pētāmo materiālu aizliegtas zonas platuma noteikšanas metodika, kurā ir izmantota duālas fotoelektronu emisija..
Darbs var būt izmantots mācību procesā un zinātniski pētnieciskā darbība kā informatīvais materiāls, kā arī var rādīt interesi uzņēmumiem, kas ir saistīti ar nanomateriālu izstrādi, ražošanu vai to fizikālo īpašību noteikšanai.
Darbs satur 70 lpp, iekļauj 41 attēlu, 8 tabulas, darbā tika izmantoti 22 literatūras avoti. |
| Atslēgas vārdi |
Elektronu emisija, pusvadītāji, infrasarkanais starojums |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
Electron emission, semiconductors, infrared radiation |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2012 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
29.05.2012 17:50:27 |
