| Studiju veids |
bakalaura profesionālās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Medicīnas inženierija un fizika |
| Nosaukums |
Silīcija fototermostimulētā eksoemisija atkarībā no ar augstas enerģijas elektronu apstarošanas. |
| Nosaukums angļu valodā |
Photothermostimulated exoemission of silicon depending on its high-energy electron irradiation. |
| Struktūrvienība |
31000 Būvniecības un mašīnzinību fakultāte |
| Darba vadītājs |
Jurijs Dehtjars |
| Recenzents |
Aboltins Ainars |
| Anotācija |
Bakalaura darba mērķis ir izpētīt kā silīcija (Si) fototermostimulētā eksoelektronu emisija jeb eksoemisija (FTSE) ir atkarīga no ar augstas enerģijas (>5MeV) elektronu apstarošanas ar dozu 0-60 Gy. Reģistrēta pozitīva korelācija starp Si FTSE un plānoto dozu 6 MeV elektronu apstarošanas dozu no 12 līdz 60 Gy. Fototermostimulētās eksoelektronu emisijas mērīšanai tika izmantots elektronu spektrometrs, savukārt to apstarošanai - klīniskais lineārais elektronu paātrinātājs. |
| Atslēgas vārdi |
eksoelektronu emisija, monokristāliskais silīcijs, augstas enerģijas elektronu apstarošana, dozimetrija |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
exoelectron emission, monocrystalline silicon, high energy electrons, dosimetry |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2024 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
10.06.2024 15:10:17 |
