| Studiju veids |
bakalaura profesionālās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Medicīnas inženierija un fizika |
| Nosaukums |
Silīcija fototermostimulētā eksoemisija atkarībā no ar augstas enerģijas gamma apstarošanas. |
| Nosaukums angļu valodā |
Photothermostimulated exoemission of silicon depending on high-energy gamma irradiation |
| Struktūrvienība |
31000 Būvniecības un mašīnzinību fakultāte |
| Darba vadītājs |
Jurijs Dehtjars |
| Recenzents |
Āboltiņš Ainars |
| Anotācija |
Bakalaura darba mērķis ir izpētīt, kā silīcija fototermostimulētā eksoemisija ir atkarīga no ar augstas enerģijas >4 MeV gamma apstarošanas ar dozu 0-60 Gy, kas ir radiācijas terapijai raksturīgas dozas.
Bakalaura darbs sastāv no ievada, darba mērķa, uzdevumiem un novitātes, analītiskās apskata daļas par iespējamiem ceļiem silīcija fototermostimulētās eksoemsijas atkarības no ar augstas enerģijas gamma apstarošanas atklāšanai, pētījuma stratēģijas, pētījuma metožu un instrumentu izvēles pamatojuma un apraksta, pētījuma mērījumu rezultātiem un rezultātu analīzes, secinājumiem un izmantotās literatūras un avotu saraksta.
Bakalaura darbā ir izpētīts, kā silīcija fototermostimulētā eksoemisija ir atkarīga no ar augstas enerģijas gamma apstarošanas. Pēc apstarošanas ar augstas enerģijas gamma starojumu, silīcija struktūrā veidojas punktveida defekti. Izmantojot fototermostimulētās eksoemsijas metodi, iespējams noteikt silīcija fototermostimulētās eksoemisijas izmaiņas tendenci pēc apstarošanas ar augstas enerģijas gamma starojumu.
Bakalaura darbs ir uzrakstīts latviešu valodā, tā apjoms ir 66 lapaspuses, un tajā ir iekļauti 65 attēli un 6 tabulas. Bakalaura darbā izmantotas 28 atsauces uz literatūras avotiem. |
| Atslēgas vārdi |
fototermostimulētā eksoemisija, silīcijs, gamma starojums |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
Photothermostimulated exoemission, silicon, gamma irradiation |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2024 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
09.06.2024 22:33:43 |
