| Studiju veids |
maģistra akadēmiskās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Materiālzinātnes |
| Nosaukums |
CdZnTe radiācijas izturības palielināšana ar lāzera starojumu |
| Nosaukums angļu valodā |
CdZnTe radiation hardness increase by laser radiation |
| Struktūrvienība |
14000 Materiālzinātnes un lietišķās ķīmijas fakultāte |
| Darba vadītājs |
Dr.habil.phys. A.Medvids |
| Recenzents |
Dr.habil.sc.ing. G.Mežinskis |
| Anotācija |
Maģistra darbā ir izstrādāta lāzer metode, ar kuru ir iespējams palielināt CdZnTe kristāla radiācijas izturību, apstarojot šo pusvadītāju ar Nd:YAG lāzera fundamentālo starojumu (=1064 nm) un tā otrās harmonikas (=532 nm) starojumu. Tika apskatītas CdZnTe kristālu vispārīgās īpašības, radioaktīvā starojuma ietekme uz šo materiālu, kā arī metodes, ar kurām var raksturot radiācijas radītos bojājumus un lāzera starojuma iedarbību uz CdZnTe kristālu.
Darba gaitā tika izpētīta -starojuma iedarbība uz CdZnTe kristālu un izpētīta -starojuma starojuma radīto defektu ietekme uz materiāla fizikālajām īpašībām. -Starojuma ietekme tika raksturota ar fotoluminiscences, Volt-Ampēr raksturlīkņu metodi, infrasarkanās spektroskopijas metodi un tika izmērīts radiācijas starojuma spektrs. Tika parādīta iespēja samazināt -starojuma starojuma radīto defektu koncentrāciju CdZnTe kristālā un līdz ar to uzlabot materiāla fizikālās īpašības. Tika izvirzīts radiācijas izturības palielināšanās modelis.
Darbā ir: 51 lapa, 32 attēli, 4 tabulas un 33 informācijas avoti. |
| Atslēgas vārdi |
CdZnTe, pusvadītājs, lāzera starojums |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
CdZnTe, semiconductor, laser radiation |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2011 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
14.06.2011 23:58:04 |
