| Studiju veids |
maģistra profesionālās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Nanoinženierija |
| Nosaukums |
Vienā reaktorā izveidota Si3N4 nanoslāņu daudzuma ietekmē uz kondensatora elektriskiem parametriem |
| Nosaukums angļu valodā |
Created in one reactor Si3N4 nanolayers quantity influence on capacitor electrical parameters |
| Struktūrvienība |
25200 Biomedicīnas inženierzinātņu un nanotehnoloģiju institūts |
| Darba vadītājs |
Aleksandrs Zaslavskis |
| Recenzents |
Aleksanrds Viļķens, pētn., RTU |
| Anotācija |
Darba mērķis ir izpētīt, kā un kāpēc kondensatora elektriskie parametri atkarīgi no dielektriķa slāņu daudzuma, kas izveidots no daudzslāņu silīcija nitrīda. Darba rezultāti ļaus projektēt kondensatorus ar mazākiem izmēriem bez zudumiem elektriskos parametros. Iepriekšējos pētījumos par kondensatoriem ar dielektriķi no daudzslāņu silīcija nitrīda tas jautājums nebija izskatīts, turklāt dotā maģistra darbā daudzslāņu silīcija nitrīdu veidoja, izmantojot nesen piedāvātu paņēmienu. Darbā veikta literatūras analīze, lai saprastu, kā un kāpēc silīcija nitrīda slāņu daudzums var ietekmēt uz kondensatora elektriskiem parametriem. Izstrādāta pētīšanas stratēģija, aprakstīts paraugu veidošanas process, aprakstītas ierīcēs, kas izmantoja pētījumā, aprakstīts paveikts eksperiments. Mērījumu rezultāti demonstrē slāņu daudzuma ietekmi uz kapacitāti un caursites spriegumu. Eksperimenta rezultāti demonstrē, kā atšķirīga defektu koncentrācija vienslāņa un daudzslāņu silīcija nitrīda paraugos ietekmē uz FTIR raksturlīknēm. Elektrisko mērījumi un eksperimenta rezultāti apkopoti, izstrādāti secinājumi un izvirzīti priekšlikumi tālākiem pētījumiem.
Darbā ir 2. tabulas, 45. attēli pamattekstā un vel 40 pielikumā, 99. lappuses. |
| Atslēgas vārdi |
silīcija nitrīds, daudzslāņu silīcija nitrīds, silīcija nitrīda kondensators, kondensators |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
silicon nitride, multilayer silicon nitride, silicon nitride capacitor, capacitor |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2019 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
03.06.2019 10:46:54 |
