Noslēguma darbu reģistrs
  
Studiju darba apraksts
Studiju veids maģistra profesionālās studijas
Studiju programmas nosaukums Nanoinženierija
Nosaukums Vienā reaktorā izveidota Si3N4 nanoslāņu daudzuma ietekmē uz kondensatora elektriskiem parametriem
Nosaukums angļu valodā Created in one reactor Si3N4 nanolayers quantity influence on capacitor electrical parameters
Autors Genādijs Jeņičeks
Struktūrvienība 25200 Biomedicīnas inženierzinātņu un nanotehnoloģiju institūts
Darba vadītājs Aleksandrs Zaslavskis
Recenzents Aleksanrds Viļķens, pētn., RTU
Anotācija Darba mērķis ir izpētīt, kā un kāpēc kondensatora elektriskie parametri atkarīgi no dielektriķa slāņu daudzuma, kas izveidots no daudzslāņu silīcija nitrīda. Darba rezultāti ļaus projektēt kondensatorus ar mazākiem izmēriem bez zudumiem elektriskos parametros. Iepriekšējos pētījumos par kondensatoriem ar dielektriķi no daudzslāņu silīcija nitrīda tas jautājums nebija izskatīts, turklāt dotā maģistra darbā daudzslāņu silīcija nitrīdu veidoja, izmantojot nesen piedāvātu paņēmienu. Darbā veikta literatūras analīze, lai saprastu, kā un kāpēc silīcija nitrīda slāņu daudzums var ietekmēt uz kondensatora elektriskiem parametriem. Izstrādāta pētīšanas stratēģija, aprakstīts paraugu veidošanas process, aprakstītas ierīcēs, kas izmantoja pētījumā, aprakstīts paveikts eksperiments. Mērījumu rezultāti demonstrē slāņu daudzuma ietekmi uz kapacitāti un caursites spriegumu. Eksperimenta rezultāti demonstrē, kā atšķirīga defektu koncentrācija vienslāņa un daudzslāņu silīcija nitrīda paraugos ietekmē uz FTIR raksturlīknēm. Elektrisko mērījumi un eksperimenta rezultāti apkopoti, izstrādāti secinājumi un izvirzīti priekšlikumi tālākiem pētījumiem. Darbā ir 2. tabulas, 45. attēli pamattekstā un vel 40 pielikumā, 99. lappuses.
Atslēgas vārdi silīcija nitrīds, daudzslāņu silīcija nitrīds, silīcija nitrīda kondensators, kondensators
Atslēgas vārdi angļu valodā silicon nitride, multilayer silicon nitride, silicon nitride capacitor, capacitor
Valoda lv
Gads 2019
Darba augšupielādes datums un laiks 03.06.2019 10:46:54