| Studiju veids |
bakalaura akadēmiskās studijas |
| Studiju programmas nosaukums |
Materiālzinātnes |
| Nosaukums |
Por-Si/P3HT struktūras optisko un elektrisko īpašību izpēte pielietojumam saules elementos |
| Nosaukums angļu valodā |
Investigation of optical and electrical properties of por-Si/P3HT structure for solar cells |
| Struktūrvienība |
14000 Materiālzinātnes un lietišķās ķīmijas fakultāte |
| Darba vadītājs |
Dr.phys.Pāvels Onufrijevs, Dr.hab.phys. Artūrs Medvids |
| Recenzents |
Dr.sc.ing. Sergejs Gaidukovs |
| Anotācija |
Visā pasaulē ir palielinājies pieprasījums pēc lētiem un efektīviem saules elementiem, kas ļautu iegūt elektroenerģiju no alternatīvajiem enerģijas avotiem. Plaši tiek izmantoti gan organiski, gan neorganiski saules elementi, kā arī to kombinācija (hibrīds), kas apvieno abu materiālus priekšrocības.
Izvirzītais darba mērķis ir izpētīt por-Si/P3HT struktūras elektriskās un optiskās īpašības pielietojumam saules elementos.
Šajā darbā tika veikti Al/Si/por-Si/P3HT/Al struktūras pētījumi atkarībā no porainā silīcija elektroķīmiskās kodināšanas parametriem. Porainais silīcijs tika iegūts ar elektroķīmiskās kodināšanas metodi, lai izveidotu teksturētu virsmu, kas „ieslogotu” gaismu, tas ir, pielielinātu gaismas absorbciju, tādējādi paaugstinot saules elementa efektivitāti. Uz porainā silīcija kārtiņas tika izveidota P3HT kārtiņa ar rotējošā diska (spin-coating) metodi. P3HT ir p-tipa pusvadītājs. Lai izveidotu saules elementam nepieciešamo elektrisko kontaktu, tika izmantota termiskās iztvaicēšanas metode alumīnija kārtiņas uznešanai. Izmantojot skenējošo elektronu mikroskopiju, tika uzņemts por-Si/P3HT struktūras šķērsgriezums.
Lai noteiktu saules elementu elektriskās īpašības, tika izmantots sprieguma avots un elektrometrs voltampēru raksturlīkņu uzņemšanai. Materiāla sastāva analīzei tika izmantota Ramana spektroskopijas metode, un enerģijas pārneses izpētei tika izmantota fotoluminiscence.
Visaugstākā efektivitāte – 0,02% - tika novērota Al/Si/por-Si/P3HT/Al saules elementam, kuram porainais silīcijs tika veidots pie strāvas blīvuma j=40 mA/cm2. Zemā efektivitāte tiek skaidrota ar slikto elektrisko kontaktu starp por-Si un P3HT. |
| Atslēgas vārdi |
saules elements, porainais silīcijs, P3HT, por-Si/P3HT |
| Atslēgas vārdi angļu valodā |
solar cell, porous silicon, P3HT, por-Si/P3HT |
| Valoda |
lv |
| Gads |
2016 |
| Darba augšupielādes datums un laiks |
14.06.2016 11:30:57 |
